這時，一直沒說話的夏培肅開口道：“龐總，你的意思是，星環科技未來的發展方向是開發一種全新的互聯網終端，并且依靠這種終端，支撐起一個全新的系統和指令集架構體系，并且形成生態閉環？”

龐學林笑著點了點頭，說道：“沒錯，就是這個意思。”

夏培肅皺眉道：“如果這樣的話，那段時間內，海思半導體只有投入，沒有產出，你能撐多久？”

龐學林微微一笑，說道：“這個不難，華威接下來準備進軍移動通信運營商業務，有很多芯片都需要從國外采購，海思半導體可以承接部分芯片比如DSP芯片，ASIC芯片，FPGA芯片等等的研發工作。另外，在消費者業務領域，我們還準備做快閃儲存器以及第二代同步動態隨機存取內存。”

“快閃儲存？第二代同步動態隨機存取內存？”

夏培肅和倪光南對視一眼，均吃了一驚。

快閃儲存，指的就是閃存。

在這個時代，這兩項技術都尚未完全成熟。

1984年，東芝公司的舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器的概念。

與傳統電腦內存不同，閃存的特點是非易失性，其記錄速度也非常快。

英特爾是世界上第一個生產閃存并將其投放市場的公司。

1988年，英特爾公司推出了一款256K bit閃存芯片。

它如同鞋盒一樣大小，并被內嵌于一個錄音機里。

后來，英特爾發明的這類閃存被統稱為NOR閃存。它結合EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）兩項技術，并擁有一個SRAM接口。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。

其基本單元電路（存儲細胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。

它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。

在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。

這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。

若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。

可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。

若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。

若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。

閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。

但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。

寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。

讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。

由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，而是全片或分塊擦除。

相比于第一種NOR閃存。