沐陽研究更新后的閱讀系統(tǒng)兩個(gè)多小時(shí)才研究透，興奮得睡不著。

喝了一杯茶，他想看看芯片制造技術(shù)的核心設(shè)備：光刻機(jī)。

目前市場上，有兩種主流光刻機(jī)，一個(gè)是duv光刻機(jī)，另一個(gè)是euv光刻機(jī)。duv是深紫外線（deepultravioletlithogrhy），euv是極深紫外線（extreultravioletlithogrhy。

從制程范圍來看，duv基本上只能做到25ntel憑借雙工作臺的模式做到了10n但是卻無法達(dá)到10n下。

只有euv能滿足10n下的晶圓制造，并且還可以向5n3n續(xù)延伸。

這個(gè)線寬其實(shí)就是跟光的線寬有關(guān)系，比如可見光的g線，那就是436n如果用來刻蝕，線路肯定很寬。

可以簡單地認(rèn)為，光刻機(jī)的光系統(tǒng)其實(shí)就是一支畫筆，不同的光代表不同粗細(xì)大小的筆芯，越細(xì)的筆（光）能夠畫越細(xì)越復(fù)雜的畫。

duv就是彩筆，euv就是中性筆，中性筆畫的線條比較細(xì)，比較好用。

這么理解，也好理解光刻機(jī)到底如何刻蝕電路圖了。

當(dāng)前，國外品牌光刻機(jī)主要以荷藍(lán)asl，島國nikon和canon三大品牌為主。

euv的價(jià)格是1—3億美金／臺，duv的價(jià)格為2000萬—5000萬美金／臺不等。

目前先進(jìn)的光刻系統(tǒng)就是euv光刻機(jī)，如果沐陽打算走euv光刻機(jī)路線，必然繞不開別人的技術(shù)專利保護(hù)范圍。

因此，他只能尋找另外光種的光刻機(jī)，同時(shí)要考慮到光的分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等指標(biāo)。

就說分辨率，如果制作出來的電路圖模糊不清，那芯片肯定不好。

光刻機(jī)其它的指標(biāo)，也可以比喻成畫筆的性能就行了。

并不是說，沐陽不能搞光刻機(jī)了，只是說，再搞duv和euv光刻機(jī)，繞不開以上三家企業(yè)的技術(shù)專利保護(hù)范圍。

所以，他只能另辟蹊徑。

很久之前，沐陽就想到過電子束光刻機(jī)。

原本，再過幾年，漂亮國的一個(gè)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出一套名為zyvexlitho1的光刻系統(tǒng)，基于st掃描隧道顯微鏡，使用的是egrhy）電子束光刻方式，制造出了0.7n寬的芯片，只是沒法實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，或者成本高過。

沐陽相信，如果是技術(shù)成熟的電子束光刻機(jī)，線寬比0.7n小。

他在系統(tǒng)商店普通貨架上默念搜索「電子束光刻機(jī)」，很快，搜索出幾款相關(guān)技術(shù)。

沐陽選擇適合自己公司的一款技術(shù)：ebl01

技術(shù)參數(shù)：

1．最小線寬：小于1nbr/>

2．加速電壓：5—500kv

3．電子束直徑：小于0.5nbr/>

4．套刻精度：1nan＋0.20）

5．拼接精度：1nan＋0.20）

6．加工晶圓尺寸：4—18英寸

7．描電鏡分辨率：小于0.2nbr/>

主要特點(diǎn)：

1．采用超高亮度和超高穩(wěn)定性的tfe電子槍；

2．出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)；

3．采用場尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率可達(dá)0.0002n

4．采用軸對稱圖形書寫技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá)0.002ad；

5．應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如

微納器件加工，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻，圖形線寬和圖形位移測量等。

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